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隨著智能電網(wǎng)、汽車(chē)電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，由于高功率密度和緊湊性，功率半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用于幾乎所有的電子制造業(yè)，目前使用領(lǐng)域正從傳統(tǒng)工業(yè)制造和4C產(chǎn)業(yè)向新能源、電力機(jī)車(chē)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)展。如何準(zhǔn)確評(píng)估功率器件的可靠性變得至為關(guān)鍵。

功率器件常見(jiàn)測(cè)試項(xiàng)目

1. 產(chǎn)品特性測(cè)試

- 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試（靜態(tài)參數(shù)·特性曲線）：

最基本的測(cè)試項(xiàng)目，可簡(jiǎn)單的評(píng)估器件的性能好壞。

各種靜態(tài)參數(shù)為使用者可靠選擇器件提供了非常直觀的參考依據(jù)、同時(shí)在變頻器，焊機(jī)，軌道交通中的功率器件檢測(cè)維修，發(fā)揮了至關(guān)重要的作用。

- 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試（開(kāi)關(guān)特性·反向恢復(fù)·電容特性·柵極電荷）：

動(dòng)態(tài)參數(shù)的優(yōu)良決定著器件的開(kāi)關(guān)性能。

通常我們希望功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度盡可能得高、開(kāi)關(guān)過(guò)程短、損耗小。但是在實(shí)際應(yīng)用中，影響開(kāi)關(guān)特性的參數(shù)有很多，如續(xù)流二極管的反向恢復(fù)參數(shù)，柵極/漏極、柵極/源極及漏極/源極電容、柵極電荷的存在，所以針對(duì)于此類(lèi)參數(shù)的測(cè)試，變得尤為重要。開(kāi)關(guān)特性決定裝置的開(kāi)關(guān)損耗、功率密度、器件應(yīng)力以及電磁兼容性。直接影響變換器的性能。因此準(zhǔn)確的測(cè)量功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)性能具有極其重要的意義。

- 短路能力：功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵性能指標(biāo)

SiC MOSFET具有低損耗、耐高壓、導(dǎo)通電流大、開(kāi)關(guān)速度快和溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)，在電動(dòng)汽車(chē)、鐵路、風(fēng)力發(fā)電、光伏逆變器、柔性直流輸電等商用領(lǐng)域均得到應(yīng)用。隨著SiC MOSFET應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)一步拓寬，所面對(duì)的工況也日益復(fù)雜，可能面對(duì)過(guò)流乃至更極端的短路的挑戰(zhàn)。器件的短路耐受能力直接決定了對(duì)故障保護(hù)和預(yù)防器件失效的設(shè)計(jì)，因此對(duì)其進(jìn)行測(cè)試是十分必要且重要的。

- 極限能力測(cè)試：如浪涌電流測(cè)試，雪崩能量測(cè)試。

浪涌電流是指電源接通瞬間或是在電路出現(xiàn)異常情況下產(chǎn)生的遠(yuǎn)大于穩(wěn)態(tài)電流的峰值電流或過(guò)載電流。雪崩耐量即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí)，電場(chǎng)衰減電流的流動(dòng)會(huì)引起雪崩衰減，此時(shí)元件可吸收的能量稱(chēng)為雪崩耐量。

2. 可靠性測(cè)試

老化可靠性壽命測(cè)試：為了保證產(chǎn)品的耐久性能，也就是產(chǎn)品使用的壽命。半導(dǎo)體功率器件廠家在產(chǎn)品定型前都會(huì)做一系列的可靠性試驗(yàn)，以確保產(chǎn)品的長(zhǎng)期耐久性能。

這里一般涉及到：功率循環(huán)、高溫反偏、高溫柵偏、高溫高濕反偏、溫度循環(huán)、溫度沖擊、高低溫存儲(chǔ)、間歇性壽命測(cè)試等各項(xiàng)測(cè)試。