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電子元器件二次篩選試驗項目及標準
發(fā)表時間:2021-06-29 16:03:40
電子及電氣元件環(huán)境試驗
1. 溫度沖擊(溫度循環(huán))
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 107;
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法 1010.1;
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 1051;
電連接器試驗方法 1000 類 環(huán)境試驗 GJB1217A-2009 方法 1003。
2. 老煉
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 108;
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法1038/1039/1040/1042;
有失效率等級的無包封多層片式瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB192B-2011 4.5.16;
有可靠性指標的固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB63B-2001 4.7.20;
有失效率等級的非固體電解質鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.21;
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法 1005.1;
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 1026。
3. 粒子碰撞噪聲檢測
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 217;
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 2052;
微電子器件試驗方法和程序 GJB 548B-2005 方法 2020.1。
4. 沖擊
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 2016;
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 2004;
5. 振動試驗
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 2056;
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 2005;
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.11。
6. 鹽霧試驗
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1041,1046;
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 1001。
7. 耐濕
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1021;
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 1002。
8. 穩(wěn)態(tài)濕熱
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 103。
9. 穩(wěn)定性烘焙
檢測標準(方法):
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法 1008.1;
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1031。
10. 低氣壓
檢測標準(方法):
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GJB1217A-2009 方法 1011;
微電子器件試驗方法和程序 GJB548B-2005 方法 1001;
半導體分立器件試驗方法 GJB128A-1997 方法 1001。
11. 加速度
檢測標準(方法):
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 2011。
12. 密封
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 1071。
電子及電氣元件性能檢測
1. 電阻器
試驗項目:電阻值
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 303;
有質量等級的薄膜固定電阻器總規(guī)范 GJB 244A-2001 4.8.5;
高穩(wěn)定薄膜固定電阻器總規(guī)范 GJB 1929-1994 4.6.2;
片式膜固定電阻器通用規(guī)范 GJB 1432B-2009 4.5.2;
膜固定電阻網絡,膜固定電阻和陶瓷電容的阻容網絡通用規(guī)范 GJB 920A-2002 4.5.5;
有可靠性指標的精密固定電阻器總規(guī)范 GJB 1862-1994 4.7.5;
功率型線繞固定電阻器總規(guī)范 GJB 2828-97 4.6.2。
2. 電容器
試驗項目:電容量
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 305;
1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.3;
2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.3;
高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.3;
有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.3;
高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.7;
有可靠性指標的塑料膜(或紙-塑料膜)介質(金屬,陶瓷或玻璃外殼密封)固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.10;
有和無可靠性指標的塑料膜介質交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.8;
含宇航級金屬化塑料膜介質密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.10;
含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.6;
有失效率等級的非固體電解質鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.4;
非固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 1312A-2001 4.7.6;
有可靠性指標的固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 63B-2001 4.7.7;
非氣密封固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 1520-1992 4.7.5。
試驗項目:損耗角正切
檢測標準(方法):
電子設備用固定電容器 第一部分總規(guī)范 GB/T 2693-2001 4.8.1;
1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.4;
2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.4;
高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.4;
有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.4;
高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.8;
有可靠性指標的塑料膜(或紙-塑料膜)介質(金屬,陶瓷或玻璃外殼密封)固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.11;
有和無可靠性指標的塑料膜介質交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.9;
含宇航級金屬化塑料膜介質密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.11;
含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.7;
有失效率等級的非固體電解質鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.5;
非固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 1312A-2001 4.7.7;
有可靠性指標的固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 63B-2001 4.7.8;
非氣密封固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 1520-1992 4.7.6。
試驗項目:漏電流
檢測標準(方法):
有失效率等級的非固體電解質鉭固定電容器通用規(guī)范 GJB 733B-2011 4.5.3;
非固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 1312A-2001 4.7.5;
有可靠性指標的固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 63B-2001 4.7.6;
非氣密封固體電解質鉭電容器總規(guī)范 GJB 1520-1992 4.7.4。
試驗項目:絕緣電阻
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 302;
1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.7;
2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.6;
高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.8;
有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.5;
高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.10;
有可靠性指標的塑料膜(或紙-塑料膜)介質(金屬,陶瓷或玻璃外殼密封)固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.9;
有和無可靠性指標的塑料膜介質交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.5;
含宇航級金屬化塑料膜介質密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.9;
含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.5;
試驗項目:介質耐電壓
檢測標準(方法):
電子及電氣元件試驗方法 GJB 360B-2009 方法 301;
1 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 468A-2011 4.5.5;
2 類瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 924A-2012 4.5.5;
高壓多層瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 1940A-2012 4.5.5;
有可靠性指標的單層片式瓷介電容器總規(guī)范 GJB 2442-95 4.7.6;
高可靠瓷介固定電容器通用規(guī)范 GJB 4157A-2011 4.6.9;
有可靠性指標的塑料膜(或紙-塑料膜)介質(金屬,陶瓷或玻璃外殼密封)固定電容器總規(guī)范 GJB 732-1989 4.7.7;
有和無可靠性指標的塑料膜介質交直流固定電容器通用規(guī)范 GJB 972A-2002 4.5.6;
含宇航級金屬化塑料膜介質密封固定電容器通用規(guī)范 GJB 1214A-2009 4.6.7;
含宇航級云母固定電容器通用規(guī)范 GJB 191B-2009 4.7.2。
3. 二極管
試驗項目:正向電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 4011;
半導體器件分立器件和集成電路 第 2 部分:整流二級管 GB/T 4023-2015 7.1.2;
半導體器件 分立器件 第 3 部分:信號(包括開關)和調整二級管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 節(jié) 2,第 2 節(jié) 5。
試驗項目:反向電流
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 4016;
半導體器件分立器件和集成電路 第 2 部分:整流二級管 GB/T 4023-2015 7.1.4;
半導體器件 分立器件 第 3 部分:信號(包括開關)和調整二級管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 1 節(jié) 1,第 2 節(jié) 4。
試驗項目:擊穿電壓
檢測標準(方法):
半導體器件分立器件和集成電路 第 2 部分:整流二級管 GB/T 4023-2015 7.1.3。
試驗項目:工作電壓
檢測標準(方法):
半導體器件 分立器件 第 3 部分:信號(包括開關)和調整二級管 GB/T 6571-1995 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。
4. 雙極型晶體管
試驗項目:集電極-射極擊穿電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 3011。
試驗項目:集電極-基極擊穿電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 10.2。
試驗項目:發(fā)射極-基極擊穿電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 10.2。
試驗項目:集電極-基極截止電流
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 2.1。
試驗項目:集電極-發(fā)射極截止電流
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 3。
試驗項目:發(fā)射極-基極截止電流
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 2.2。
試驗項目:正向電流傳輸比
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 2 節(jié) 7。
試驗項目:集電極-發(fā)射極飽和電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 4。
試驗項目:基極-發(fā)射極飽和電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件和集成電路 第 7 部分:雙極型晶體管 GB/T 4587-1994/IEC 747-7-1988 第 IV 章 第 1 節(jié) 5。
5. 場效應晶體管
試驗項目:漏一源擊穿電壓
檢測標準(方法):
半導體分立器件試驗方法 GJB 128A-1997 方法 3407。
試驗項目:柵極漏泄電流
檢測標準(方法):
半導體器件 分立器件 第 8 部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 2。
試驗項目:漏極電流
檢測標準(方法):
半導體器件 分立器件 第 8 部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 3。
試驗項目:靜態(tài)漏-源通態(tài)電阻
檢測標準(方法):
半導體器件 分立器件 第 8 部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 15。
試驗項目:漏極電流
檢測標準(方法):
半導體器件 分立器件 第 8 部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 4。
試驗項目:正向跨導
檢測標準(方法):
半導體器件 分立器件 第 8 部分:場效應晶體管 GB/T 4586-1994/IEC 747-8-1984 第 IV 章 10。
6. 電位器
試驗項目:總阻值
檢測標準(方法):
線繞預調電位器通用規(guī)范 GJB 917A-2011 4.5.2.2;
非線繞預調電位器通用規(guī)范 GJB 918A-2011 4.5.2.2。
試驗項目:終端電阻
檢測標準(方法):
非線繞預調電位器通用規(guī)范 GJB 918A-2011 4.5.2.3。
7. 電感器
試驗項目:電感量
檢測標準(方法):
有和無可靠性指標的模制射頻固定電感器通用規(guī)范 GJB 675A-2002 4.5.3.2。
試驗項目:品質因素
檢測標準(方法):
有和無可靠性指標的模制射頻固定電感器通用規(guī)范 GJB 675A-2002 4.5.3.3。
試驗項目:直流電阻
檢測標準(方法):
射頻固定和可變片式電感器通用規(guī)范 GJB 1864A-2011 4.5.8.5。
8. 連接器
試驗項目:介質耐電壓
檢測標準(方法):
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 3001。
試驗項目:絕緣電阻
檢測標準(方法):
電連接器試驗方法 2000 類 機械試驗方法 GB1217A-2009 方法 3003。
9. 電磁繼電器
試驗項目:吸合電壓
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.3.1;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。
試驗項目:釋放電壓
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.3.3;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.3。
試驗項目:吸合時間
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
試驗項目:吸合斷開
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。
試驗項目:吸合回跳
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.5。
試驗項目:釋放時間
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
試驗項目:釋放斷開
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.4;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
試驗項目:釋放回跳
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.5.1;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.4。
試驗項目:繞圈電阻
檢測標準(方法):
有可靠性指標的電磁繼電器總規(guī)范 GJB65B-1999 4.8.8.1;
電磁繼電器總規(guī)范 GJB1042A-2002 4.6.8.1。
10. 固態(tài)繼電器
試驗項目:輸出接通電阻
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。
試驗項目:輸出電壓降
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.15。
試驗項目:開啟電流
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.2。
試驗項目:瞬態(tài)電壓
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.17。
試驗項目:接通時間
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.13。
試驗項目:關斷時間
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.14。
試驗項目:接通電壓
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.6。
試驗項目:關斷電壓
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.7。
試驗項目:偏置電流
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.4。
試驗項目:控制電流
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.2.5。
試驗項目:輸出漏電流
檢測標準(方法):
固體繼電器總規(guī)范 GJB1515B-2017 4.7.7.16。
11. 半導體集成電路運算放大器
試驗項目:輸入失調電壓
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 5。
試驗項目:輸入失調電流
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 6。
試驗項目:輸入偏置電流
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 7。
試驗項目:共模抑制比
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 12。
試驗項目:電源電壓抑制比
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 13。
試驗項目:輸出電壓范圍
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 14。
試驗項目:開環(huán)電壓放大倍數(shù)
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 2 節(jié) 10。
試驗項目:電壓轉換速率(壓擺率)
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第 IV 篇 第 2 節(jié) 20。
12. 半導體集成電路電壓比較器
試驗項目:輸入失調電壓
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.1。
試驗項目:輸入失調電流
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.3。
試驗項目:輸入偏置電流
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.5。
試驗項目:靜態(tài)電源電流
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.7。
試驗項目:共模抑制比
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.9。
試驗項目:電源電壓抑制比
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.11。
試驗項目:輸出電壓幅度
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.13。
試驗項目:開環(huán)電壓增益
檢測標準(方法):
半導體集成電路電壓比較器測試方法的基本原理 SJ/T 10805-2018 5.8。
13. 數(shù)字集成電路CMOS 電路
試驗項目:輸出高電平電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。
試驗項目:輸出低電平電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇第 2 節(jié) 1。
試驗項目:電源電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。
試驗項目:輸入電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。
14. 半導體集成電路 TTL 電路
試驗項目:功能測試
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 節(jié) 6。
試驗項目:輸入鉗位電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 6。
試驗項目:輸出高電平電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。
試驗項目:輸出低電平電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。
試驗項目:輸入高電平電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。
試驗項目:輸入低電平電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。
試驗項目:輸出短路電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 3。
試驗項目:輸出高阻態(tài)電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 7。
試驗項目:電源電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。
試驗項目:延遲時間
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 3 節(jié) 4.2。
15. 半導體集成電路電壓調整器
試驗項目:線性調整率
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇 第 3 節(jié) 2。
試驗項目:負載調整率
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 節(jié) 4。
試驗項目:紋波抑制比
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 節(jié) 3。
試驗項目:靜態(tài)電流
檢測標準(方法):
半導體集成電路第 3 部分:模擬集成電路 GB/T17940-2000 第Ⅳ篇第 3 節(jié) 7。
16. 集成電路模擬/數(shù)字轉換器
試驗項目:數(shù)字輸入電流
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。
試驗項目:輸出高電平電壓
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。
試驗項目:輸出低電平電壓
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.13。
試驗項目:增益誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。
試驗項目:零點誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。
試驗項目:線性誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。
試驗項目:微分線性誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。
17. 集成電路數(shù)字/模擬轉換器
試驗項目:數(shù)字端輸入電流
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.14。
試驗項目:增益誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.3。
試驗項目:零點誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.1。
試驗項目:線性誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.5。
試驗項目:微分線性誤差
檢測標準(方法):
集成電路 A/D 和 D/A 轉換器測試方法的基本原理 SJ20961-2006 5.2.7。
18. DC/DC 變換器
試驗項目:輸出電壓
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.1。
試驗項目:輸出電流
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.2。
試驗項目:輸出紋波電壓
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.3。
試驗項目:電壓調整率
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.4。
試驗項目:電流調整率
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.5。
試驗項目:交叉調整率
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.6。
試驗項目:輸入電流
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.7。
試驗項目:效率
檢測標準(方法):
混合集成電路 DC/DC 變換器測試方法 SJ20646-1997 5.9。
19. 半導體集成電路存儲器
試驗項目:輸出高電平電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。
試驗項目:輸出低電平電壓
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 1。
試驗項目:輸出高阻態(tài)電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 7。
試驗項目:輸入高電平電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。
試驗項目:輸入低電平電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 2。
試驗項目:工作狀態(tài)時電源電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。
試驗項目:待機狀態(tài)時電源電流
檢測標準(方法):
半導體器件集成電路第 2 部分:數(shù)字集成電路 GB/T 17574-1998 第 IV 篇 第 2 節(jié) 4。
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